２０１４年ノーベル物理学賞の受賞理由となった「高輝度，省エネルギーの白色光源を可能とした高効率青色発光ダイオード（LED）の発明」は，窒化ガリウム（GaN）系半導体材料を用い達成されました。現在この材料は，LED等のオプトエレクトロニクス応用に留まらず，電力の制御・供給における大幅な省エネルギーを可能とするパワーエレクトロニクス用ポストシリコン材料としても注目され，基礎基盤研究開発が強力に推進されています。GaN系パワーデバイスの実用化に向けた研究開発の加速には，より一層高品質な結晶の革新的な作製技術の確立が不可欠であり，バルク結晶成長技術等の進展に大きな期待が寄せられています。

　本講演会では，ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所教授，名古屋大学未来材料・システム研究所客員教授／特任教授のボコウスキ・ミハル・スタニスワフ先生を　お招きし，GaNバルク結晶成長の研究開発動向についてお話して頂きます。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　記

　　　招待講演：“Bulk Growth of GaN – Status, Perspectives and Trends”

　　　　　Prof. Dr. Michał Boćkowski

　　　　　　Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Science

　　　　　　Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University

　　　　　　　日　程：平成３０年１０月２９日（月） １５：００～１６：００

　　　　　　　場　所：佐賀大学理工学部８号館３０８室　（佐賀市本庄町１）

　　　　　　　参加費：無料

　　　　　　※　講演は英語で行われます

【本件に関するお問い合わせ先】

佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター　事務室

TEL：0952-28-8854

E-mail：slcjimu@ml.saga-u.ac.jp