GaNバルク結晶成長に関する講演会を開催します(10月29日)
2014年ノーベル物理学賞の受賞理由となった「高輝度,省エネルギーの白色光源を可能とした高効率青色発光ダイオード(LED)の発明」は,窒化ガリウム(GaN)系半導体材料を用い達成されました。現在この材料は,LED等のオプトエレクトロニクス応用に留まらず,電力の制御・供給における大幅な省エネルギーを可能とするパワーエレクトロニクス用ポストシリコン材料としても注目され,基礎基盤研究開発が強力に推進されています。GaN系パワーデバイスの実用化に向けた研究開発の加速には,より一層高品質な結晶の革新的な作製技術の確立が不可欠であり,バルク結晶成長技術等の進展に大きな期待が寄せられています。
本講演会では,ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所教授,名古屋大学未来材料・システム研究所客員教授/特任教授のボコウスキ・ミハル・スタニスワフ先生を お招きし,GaNバルク結晶成長の研究開発動向についてお話して頂きます。
記
招待講演:“Bulk Growth of GaN – Status, Perspectives and Trends”
Prof. Dr. Michał Boćkowski
Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Science
Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University
日 程:平成30年10月29日(月) 15:00~16:00
場 所:佐賀大学理工学部8号館308室 (佐賀市本庄町1)
参加費:無料
※ 講演は英語で行われます
【本件に関するお問い合わせ先】
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター 事務室
TEL:0952-28-8854
E-mail:slcjimu@ml.saga-u.ac.jp