【研究者】
　代表者：嘉数　誠
　分担者：サハ　ニロイ、大石　敏之　

【概要】
　国立大学法人佐賀大学（以下、「佐賀大学」。本部：佐賀県佐賀市本庄町1番地。学長：兒玉 浩明）は、次世代の究極のパワー半導体のダイヤモンド半導体デバイスで、世界最高の出力電力、出力電圧を達成しましたが、この成果に対して、半導体・オブ・ザ・イヤー２０２３を受賞いたします。

　今回の成果は、佐賀大学が今年にかけて達成し、米国電子通信情報学会誌、IEEE Electron Device Letters誌に掲載された世界最高の出力電力８７５MWcm^-2[1]と出力電圧3659V[2]を示したダイヤモンド半導体デバイスの成果に対するものです[3]。今後、ダイヤモンド半導体デバイスのパワー回路の実証試験を進めながら、デバイスの周辺技術の研究開発を進め、本格的に実用化に向けた研究開発を加速させてまいります[4]。
　なお、授賞式は、2023年5月31日(水)に東京ビッグサイトで行われている電子機器トータルソリューション展2023内で行われます。

　受賞名「ダイヤモンド半導体パワーデバイスの世界最高の出力電力・電圧」

＜新ダイヤモンド半導体デバイスの特徴＞
・究極のパワー半導体物性をもつダイヤモンド半導体
・世界最高の875MW/cm²、３６５９Vの高出力電力、高電圧動作
・宇宙空間の人工衛星の基地局の送信デバイスに最適

＜半導体・オブ・ザ・イヤー＞
　電子デバイス産業新聞（産業タイムズ社）が最新のエレクトロニクス製品の開発において最も貢献した製品を称えるため「半導体・オブ・ザ・イヤー」を選定しています。本年で第 29 回を迎えます。2022年4月～2023年3月の間に新製品として発表された製品・技術、および電子デバイス産業新聞紙上で紹介された新製品の中から電子デバイス産業新聞記者の推薦、自由応募を含めて候補製品・技術を選出し、厳正なる記者投票を行います。選定にあたっては、開発の斬新性、量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などを基準としています。

＜今後の展開＞
　ダイヤモンド半導体パワーデバイスの特性向上をさらに進め、企業と周辺技術を開発し、実用化を目指した研究開発を加速してまいります。

【研究成果の公表媒体（論文や学会など）】
[1] N. C. Saha, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu, “875-MW/cm² Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFETs”,
IEEE Electron Device Letters 43, 5, 777 (2022);
DOI; 10.1109/LED.2022.3164603
[2] Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Koji Koyama; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu, “3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates”, IEEE Electron Dev. Lett. 44, 112 (2023).
DOI; 10.1109/LED.2022.3226426
[3] 佐賀大学プレスリリース、「ダイヤモンド半導体パワーデバイスの出力電力・電圧の世界最高値を更新」、202２年５月1０日。
[4] 佐賀大学プレスリリース、「世界初ダイヤモンド半導体パワー回路を開発―高速スイッチング、長時間連続動作を実証－」、2023年4月17日。

【教員活動ＤＢのリンク先】
嘉数　誠
https://research.dl.saga-u.ac.jp/profile/ja.2d82a58bcbe158ac.html

【本件に関する問い合わせ先】
　佐賀大学
　（研究）理工学部　教授　嘉数　誠　
　　E-mail　kasu@cc.saga-u.ac.jp
　　TEL  0952(28)8648

　（報道）広報室
　　E-mail　sagakoho@mail.admin.saga-u.ac.jp
　　TEL  0952(28)8153

　電子デバイス産業新聞（株式会社産業タイムズ社）
　Email　scnw@sangyo-times.co.jp
　TEL　03（5835）5891