電子材料開発における計算科学に関する講演会を開催します(6月1日)

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 2014年ノーベル物理学賞でも話題となった窒化物半導体,そして,これに代表されるワイドバンドギャップ半導体は,超高効率太陽電池,低損失パワーデバイス,小型・高効率高周波デバイス,さらには緑色および深紫外光源など,これからの創エネ・省エネ,安全衛生に資する次世代電子材料です。これらのデバイス品質の材料開発を推し進める上で,計算科学からのアプローチが注目されています。

 本講演会では,九州大学応用力学研究所教授,名古屋大学未来材料・システム研究所特任教授の寒川義裕先生をお招きし,窒化物半導体等の電子材料開発と計算科学との関わりについてお話して頂きます。

 

 

                    記

 

 招待講演:「電子材料開発における計算科学の進展

      (Advances in computer science for electronic materials development)」

 

      九州大学 応用力学研究所 教授 /

      名古屋大学 未来材料・システム研究所 特任教授    寒川 義裕 氏

 

  日 程  :平成30年6月1日(金) 14:40~16:10

  場 所  :佐賀大学理工学部8号館308室 (佐賀市本庄町1)

 参 加 費 :無料

 

 

 

【本件に関するお問い合わせ先】

   佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター 事務室

   TEL:0952-28-8854

   E-mail:slcjimu@ml.saga-u.ac.jp

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