理工学部上野直広教授が平成30年度全国発明表彰を受賞しました

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 平成30年6月12日(火)に東京都内のホテルオークラ東京で常陸宮殿下御台臨のもと開催された平成30年度全国発明表彰式において、機械システム工学科の上野直広教授が21世紀発明奨励賞を受賞しました。

 全国発明表彰は、大正8年、我が国科学技術の向上と産業の発展に寄与することを目的に始められ、以来、我が国を代表する幾多の研究者・科学者の功績が顕彰され、今日の科学技術の発展に大きな足跡を残されてきました。多大な功績を挙げた発明、考案、又は意匠(以下、「発明等」という)、あるいは、その優秀性から今後大きな功績を挙げることが期待される発明等が表彰されています。

 今年度は恩賜発明賞などの第1種表彰区分(32件85名)、21世紀発明賞などの第2種表彰区分(8件26名)、発明奨励功労賞(11名)の3区分があり、上野教授は第2種表彰区分の21世紀発明奨励賞を他6名と連名で受賞しました。

 本受賞は、「高圧電性窒化スカンジウムアルミニウム薄膜の発明(特許第5190841号)」に対してのものであり、AlN薄膜にスカンジウム(Sc)を添加したScAlN薄膜を検討した結果、AlN薄膜の圧電性を4倍以上向上させることに成功し、ScAlN薄膜を使用したFBARフィルタでは省電力化が可能となり、挿入損失を低減できると大きく期待されています。

 

 ※なお、この表彰についてはこちら(公益社団法人 発明協会のWebサイト)にも掲載されています。

 

               

                           授与された表彰状

 

 

 

【本件に関するお問い合わせ先】

    理工学部機械システム工学科 教授 上野 直広

    TEL:0952-28-8702

 

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